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Gt80j101 Transistor Igbt Canal N 80amp 600v

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Gt80j101 Transistor Igbt Canal N 80amp 600v
Gt80j101 Transistor Igbt Canal N 80amp 600v

Características principais

Marca
Toshiba
Código do transistor
Gt80j101

Outros

  • Voltagem máxima suportada: 600V

  • Corrente máxima suportada: 80 A

Descrição

Gaveta C224

GT80J101B - TRANSISTOR TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT 600V 80A T0264
TRANS.GT80J101

80J101

GT 80J101

Insulated Gate Bipolar Transistor

Silicon N Channel IGBTIGBT 600V 80A TO-3P

GT80J101 - TRANSISTOR TOSHIBA